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纳米ATO整理涤纶的抗静电性研究及应用
- 2020-08-05-

    涤纶面料具有挺括、悬垂、不易起皱、不缩水等特点,广受消费者喜爱。但是,聚酯大分子没有亲水基团,分子堆积紧密,容易产生静电积聚,危害极大。因此,涤纶织物的抗静电整理越来越受到人们的重视。为了提高纤维或织物的吸湿性和降低电阻率,通常采用表面活性剂对纤维或织物进行整理。但其抗静电效果和耐久性较差,在低湿度环境下不表现出抗静电性能;炭黑复合导电纤维的应用,使纺织品抗静电效果显著,经久耐用,不受环境湿度的影响,但由于炭黑复合导电纤维为灰黑色,不适合用于浅色纺织品,其应用范围受到限制。

    分别采用纳米ATO粉体和季铵盐阳离子表面活性剂TM对涤纶织物进行整理,比较了其在低湿度环境下的抗静电性能,分析了ATO整理涤纶织物的抗静电机理。

    1实验 

    1.1材料与仪器 

    织物:纯涤纶低弹牛津布,规格:300 Dx300 Dx224根/10 cmx164根/10 cm。 

    化学试剂:纳米ATO粉体抗静电剂TM(季铵盐型阳离子表面活性剂),钛酸酯偶联剂NDZ一311W,聚丙烯酸酯低温自交联剂(粘合剂)。 

    仪器:TH2681型绝缘电阻测试仪,多功能表面电子能谱仪,Rapid型轧车等。 

    1.2整理工艺 

    纳米ATO粉体整理:将织物浸渍在经钛酸酯偶联剂处理后的纳米ATO分散液中(45℃,30min,浴比1:50)→二浸二轧→预烘(80℃,5min)→焙烘(120℃,4min)。 

    表面活性剂TM整理:浸渍(TM 40g/L,45℃,浴比1:50,30min)→二浸二轧(轧液率100%)→预烘(120℃,4min)→焙烘(180℃,30 s)。 

    1.3测试 

    表面比电阻:将整理涤纶织物剪成数条1 cm宽的样品,于恒温恒湿环境下(20℃,湿度70%)平衡12 h以上,用绝缘电阻测试仪测试电阻值,取20次值的平均值,得出整理涤纶织物的表面比电阻值。当织物的表面比电阻值<1011具有抗静电作用。 

    XPS测试:利用x射线光电子能谱(XPS)测试分析ATO粉体以及ATO整理涤纶织物表层中元素的组成与价态。 

    对最优工艺进行验证,测得整理织物的表面比电阻值为9.28x109Ω,小于正交实验最小的表面比电阻值1.03x1010Ω。 

    2.52x1010Ω,而抗静电剂TM整理涤纶织物的表面比电阻值为3.08x1010Ω由此可见,抗静电剂整理涤纶织物的抗静电性能对环境湿度有很大依赖性,原因是: 

    (1)纤维上定向排列的亲水基吸水减少,无法形连续的湿膜; 

    (2)即使是离子型表面活性剂也需在一定湿度下才能电离出离子。因此,当环境湿度下降时,织物的吸湿性下降,不利于静电荷的逸散。ATO整理涤纶织物在干燥4 d后,表面比电阻不再随外界环境湿度的降低而升高,说明其导电机理不同于表面活性剂TM的离子导电或吸湿导电。ATO是一种无机纳米粉体,晶格的氧缺位和5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理。纳米ATO粉体作为导电填料加入到纤维中,首先形成导电通路,随导电粉末添加量的增加,导电粒子间距离缩短,当达到十分接近或全接触状态后形成大量的导电网络通道,使材料的导电性提高。由此可见,纳米ATO粉体整理涤纶织物属于电子导电,纤维内部的自由电子因自由流动而具有导电性,因此,其无湿度依赖性,即使在低湿度条件下也能保持良好的导电性能。而ATO整理涤纶的抗静电性受环境湿度的影响小。 

    结合ATO的结构可以发现:Sb离子的掺杂是一种施主杂质,当Sb5+以替代形式占据Sn4+的位置时,由于不符合化学计量比,产生多余电子,这种电子受到的束缚作用相当弱,能够在晶体中自由运动,从而形成自由载流子,使SnO2具有n-型半导体性质,从而使导电性增大。 

    由此可见,ATO粉体整理涤纶织物的抗静电性主要是由电子导电所致,而电子导电与外界环境空气湿度无关。 

    采用纳米ATO粉体对涤纶织物进行后整理可提高织物的抗静电性能。在抗静电整理的过程中,纳米ATO质量浓度的影响最为显著。 

    最优整理工艺:纳米ATO质量浓度为100g/L,粘合剂质量浓度为20g/L,轧液率为100%。纳米ATO粉体整理涤纶织物的抗静电性主要是电子导电所致,其不受环境湿度影响。 

    

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